黑膜鍍制, 是指將入射到材料表面的光線, 包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光, 幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù). 超高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景. 如可在精密光學儀器和光學零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用, 可大幅度提高產(chǎn)品品質(zhì), 開拓新的產(chǎn)品方向.
然而, 由于傳統(tǒng)黑色表面處理工藝存在膜層太厚、粗糙多孔、結(jié)合力不佳、高低溫環(huán)境不穩(wěn)定、有害有機物釋放、制備過程有大量污染物產(chǎn)生等問題, 因此, 探索黑膜鍍制工藝升級是大勢所趨. 上海伯東某客戶借助 KRI 霍爾離子源鍍制高信耐性黑膜, 通過鍍膜工藝控制膜層透過指標, 以達到不同的效果. 試驗效果很好地滿足客戶要求, 工藝性能優(yōu)質(zhì).
KRi 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
客戶打樣指標要求：黑膜吸收92%~95.5%, 反射率8%~4.5%, HR 面反射率>95%@400~700nm, 上海伯東美國 KRI 霍爾離子源輔助沉積鍍制增透吸收膜, 可以獲得非常好的單質(zhì) SI 材料可見波段的吸收常數(shù), 離子源輔助沉積過程穩(wěn)定, 膜層致密性高, HR 膜更加得心應手, 加以合理工藝匹配, 可獲得高信耐性、工藝性能良好的黑膜和 HR 膜. 使用離子源輔助的電子束蒸發(fā)來在不加熱基板上進行蒸發(fā), 可得到附著力良好, 遮蓋力強, 材料可均勻融化, 工藝性能良好, 能很好地粘附于多種基底類型, 并表現(xiàn)出良好的環(huán)境穩(wěn)定性的黑膜. 美國進口 KRI 霍爾離子源輔助鍍制, 可達到行業(yè)水準的效果.
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護.
霍爾離子源 eH 系列在售型號:
型號 | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
陽極電壓 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
離子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根據(jù)實際應用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
氣體流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根據(jù)實際應用 |
本體高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根據(jù)實際應用 |
直徑 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根據(jù)實際應用 |
水冷 | 可選 | 可選 | 是 | 可選 | 根據(jù)實際應用 |
* F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
上海伯東是美國Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機, 德國 Pfeiffer 真空設備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 比利時進口 Europlasma 等離子表面處理機 和美國 Ambrell 感應加熱設備等進口品牌的代理商 .我們真誠期待與您的合作!
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上海伯東: 羅小姐
